用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构

	用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构
	宁瑾
刊名	功能材料与器件学报
	2003
卷号	9 期号:3 页码:319-322
中文摘要	提出一种新的牺牲层工艺。先将阳极氧化生成的多孔硅在300℃的氮气氛下进行退火以稳定其多孔结构，然后将其在700℃下氧化成为具有多孔结构的二氧化硅。用氧化的多孔硅材料作为牺牲层材料，既可以保留多孔硅牺牲层材料释放迅速的优点，又克服了多孔硅在释放时的局限性。实验运用氧化的多孔硅材料作牺牲层成功制备了悬空振膜和悬臂梁结构。
学科主题	微电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17663]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	宁瑾. 用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构[J]. 功能材料与器件学报,2003,9(3):319-322.
APA	宁瑾.(2003).用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构.功能材料与器件学报,9(3),319-322.
MLA	宁瑾."用氧化多孔硅作牺牲层制备悬空微结构".功能材料与器件学报 9.3(2003):319-322.