纳米硅(nc-Si:H )/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池的数值模拟分析

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	纳米硅(nc-Si:H )/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池的数值模拟分析
	胡志华 ; 廖显伯 ; 曾湘波 ; 徐艳月 ; 张世斌 ; 刁宏伟 ; 孔光临
刊名	物理学报
	2003
卷号	52 期号:1 页码:217-224
中文摘要	运用美国宾州大学发展的AMPS程序模拟分析了n-型纳米硅(n+-nc-Si:H)/p-型晶体硅(p-c-Si)异质结太阳电池的光伏特性.分析表明,界面缺陷态是决定电池性能的关键因素,显著影响电池的开路电压(VOC)和填充因子(FF),而电池的光谱响应或短路电流密度(JSC)对缓冲层的厚度较为敏感.对不同能带补偿(bandgap offset)的情况所进行的模拟分析表明,随着ΔEc的增大,由于界面态所带来的开路电压和填充因子的减小逐渐被消除,当ΔEc达到0.5eV左右时界面态的影响几乎完全被掩盖.界面层的其他能带结构特征对器件性能的影响还有待进一步研究.最后计算得到了这种电池理想情况下(无界面态、有背面场、正背面反射率分别为0和1)的理论极限效率ηmax=31.17% (AM1.5,100mW/cm2,0.40-1.10μm波段).
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展规划
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17577]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	胡志华,廖显伯,曾湘波,等. 纳米硅(nc-Si:H )/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池的数值模拟分析[J]. 物理学报,2003,52(1):217-224.
APA	胡志华.,廖显伯.,曾湘波.,徐艳月.,张世斌.,...&孔光临.(2003).纳米硅(nc-Si:H )/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池的数值模拟分析.物理学报,52(1),217-224.
MLA	胡志华,et al."纳米硅(nc-Si:H )/晶体硅(c-Si)异质结太阳电池的数值模拟分析".物理学报 52.1(2003):217-224.