具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究

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	具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究
	徐波
刊名	物理学报
	2003
卷号	52 期号:8 页码:2087-2091
中文摘要	采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点/InAlAs浸润层结构.通过选取合适的In组分,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当,从而使浸润层的量子阱特征消失.通过低温光致发光(PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点/InAlAs浸润层在样品中的确切位置.变温PL谱的研究显示,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽,这明显区别于普通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为.这是因为采用了InAlAs浸润层后,不仅增强了对InGaAs量子点的限制作用,同时切断了载流子的转移通道,使得量子点更加孤立后表现出来的性质.
英文摘要	采用自组装方法生长了一种新型的InGaAs量子点/InAlAs浸润层结构.通过选取合适的In组分,使InAlAs浸润层的能级与GaAs势垒相当,从而使浸润层的量子阱特征消失.通过低温光致发光(PL)谱的测试分析得到InGaAs量子点/InAlAs浸润层在样品中的确切位置.变温PL谱的研究显示,具有这种结构的量子点发光峰的半高全宽随温度上升出现展宽,这明显区别于普通InGaAs量子点半高全宽变窄的行为.这是因为采用了InAlAs浸润层后,不仅增强了对InGaAs量子点的限制作用,同时切断了载流子的转移通道,使得量子点更加孤立后表现出来的性质.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:45导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:45Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4807.pdf: 379384 bytes, checksum: 592b822a0b9bf8265b6fde11b0d90e8b (MD5) Previous issue date: 2003; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17573]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	徐波. 具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究[J]. 物理学报,2003,52(8):2087-2091.
APA	徐波.(2003).具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究.物理学报,52(8),2087-2091.
MLA	徐波."具有InAlAs浸润层的InGaAs量子点的制备和特性研究".物理学报 52.8(2003):2087-2091.