掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究 | |
朱建军![]() | |
刊名 | 物理学报
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2003 | |
卷号 | 52期号:10页码:2558-2562 |
中文摘要 | 采用背散射(RBS)/沟道(channeling)分析和傅里叶变换红外光谱(FT-IR)研究了掺铒GaN薄膜的晶体结构和光致发光(PL)特性.背散射/沟道分析结果表明:随退火温度的升高,薄膜中辐照损伤减少;但当退火温度达到1000℃,薄膜中的缺陷又明显增加.Er浓度随注入深度呈现高斯分布.通过沿GaN的<0001>轴方向的沟道分析,对于900℃,30min退火的GaN:Er样品,Er在晶格中的替位率约76%.光谱研究表明:随退火温度的升高,室温下样品的红外PL峰强度增加;但是当退火温度达到1000℃,样品的PL峰强度明显下降;测量温度从15K变化到300K时,样品(900℃,30min退火的GaN:Er)的1540nm处PL温度猝灭为30%. |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家自然科学基金 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17567] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 朱建军. 掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究[J]. 物理学报,2003,52(10):2558-2562. |
APA | 朱建军.(2003).掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究.物理学报,52(10),2558-2562. |
MLA | 朱建军."掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究".物理学报 52.10(2003):2558-2562. |
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