掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究

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	掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究
	朱建军
刊名	物理学报
	2003
卷号	52 期号:10 页码:2558-2562
中文摘要	采用背散射(RBS)/沟道(channeling)分析和傅里叶变换红外光谱(FT-IR)研究了掺铒GaN薄膜的晶体结构和光致发光(PL)特性.背散射/沟道分析结果表明:随退火温度的升高,薄膜中辐照损伤减少;但当退火温度达到1000℃,薄膜中的缺陷又明显增加.Er浓度随注入深度呈现高斯分布.通过沿GaN的<0001>轴方向的沟道分析,对于900℃,30min退火的GaN:Er样品,Er在晶格中的替位率约76%.光谱研究表明:随退火温度的升高,室温下样品的红外PL峰强度增加;但是当退火温度达到1000℃,样品的PL峰强度明显下降;测量温度从15K变化到300K时,样品(900℃,30min退火的GaN:Er)的1540nm处PL温度猝灭为30%.
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17567]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	朱建军. 掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究[J]. 物理学报,2003,52(10):2558-2562.
APA	朱建军.(2003).掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究.物理学报,52(10),2558-2562.
MLA	朱建军."掺铒GaN薄膜的背散射/沟道分析和光致发光研究".物理学报 52.10(2003):2558-2562.