VCSEL稳态热特性分析

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	VCSEL稳态热特性分析
	赵鼎 ; 林世鸣
刊名	光电子·激光
	2004
卷号	15 期号:1 页码:21-24
中文摘要	使用数值方法对氧化层限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)内部稳态热场分布进行了计算,结果显示其分布形式取决于DBR区热导率及其与高阻限制层热导率的差异,并指出在限制层孔径变化及外加电极电压变化时对热场分布的影响;器件中温度最高的部分处于中心氧化限制层附近.有源层中温度沿径向的分布情况表明,在氧化限制孔径下方形成明显的温度台阶是导致器件有源层中产生折射率台阶的主要原因.
英文摘要	使用数值方法对氧化层限制型垂直腔面发射激光器(VCSEL)内部稳态热场分布进行了计算,结果显示其分布形式取决于DBR区热导率及其与高阻限制层热导率的差异,并指出在限制层孔径变化及外加电极电压变化时对热场分布的影响;器件中温度最高的部分处于中心氧化限制层附近.有源层中温度沿径向的分布情况表明,在氧化限制孔径下方形成明显的温度台阶是导致器件有源层中产生折射率台阶的主要原因.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:40导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4790.pdf: 253440 bytes, checksum: 97e134710c97d051d10719cd4b36f032 (MD5) Previous issue date: 2004; 国家自然科学基金资助项目; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17539]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	赵鼎,林世鸣. VCSEL稳态热特性分析[J]. 光电子·激光,2004,15(1):21-24.
APA	赵鼎,&林世鸣.(2004).VCSEL稳态热特性分析.光电子·激光,15(1),21-24.
MLA	赵鼎,et al."VCSEL稳态热特性分析".光电子·激光 15.1(2004):21-24.