InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究 | |
徐波 | |
刊名 | 物理学报 |
2004 | |
卷号 | 53期号:1页码:301-305 |
中文摘要 | 利用固源分子束外延(MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛.具体分析了GaAs间隔层厚度,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响.原子力显微镜(AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到1.32和1.4μm,而单层量子点的发光波长仅为1.1μm,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法. |
英文摘要 | 利用固源分子束外延(MBE)的方法经SK模式自组装生长由多层InAs/GaAs量子点组成的柱形岛.具体分析了GaAs间隔层厚度,生长停顿时间以及InAs淀积量对发光峰波长的影响.原子力显微镜(AFM)结果显示柱形岛表面的形状和尺寸都比较均匀;室温下不同高度的柱形岛样品的发光波长分别达到1.32和1.4μm,而单层量子点的发光波长仅为1.1μm,充分说明了量子点高度对发光波长的决定性影响,这为调节量子点发光波长提供了一种直观且行之有效的方法.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:34导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:34Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4766.pdf: 381792 bytes, checksum: 668034310aa6b99e71dffbb70436ba64 (MD5) Previous issue date: 2004; 国家重点基础研究发展规划项目,国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划项目,中国科学院知识创新重大项目; 中国科学院半导体研究所;兰州大学物理科学与技术学院 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家重点基础研究发展规划项目,国家自然科学基金,国家高技术研究发展计划项目,中国科学院知识创新重大项目 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17499] |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 徐波. InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究[J]. 物理学报,2004,53(1):301-305. |
APA | 徐波.(2004).InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究.物理学报,53(1),301-305. |
MLA | 徐波."InAs/GaAs柱形岛的制备及特性研究".物理学报 53.1(2004):301-305. |
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