低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜

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	低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜
	杨少延
刊名	固体电子学研究与进展
	2004
卷号	24 期号:2 页码:258-261
中文摘要	室温条件下,用离子束外延设备制备(Ga,Gd,As)样品,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰,没有发现其他新相的衍射峰.俄歇电子能谱(AES)分析了样品中元素随深度的变化,不同样品中元素的分布有着不同的特点.并运用原子力显微镜(AFM)研究了样品表面的形貌特点,表明样品表面的粗糙度与Gd注入过程中在样品表面沉积的多少有关.运用交变梯度磁强计(AGM)对薄膜进行磁性分析,结果表明有的样品在室温条件下出现铁磁性,但金属钆本身具有室温铁磁性,因而需要进一步分析.
英文摘要	室温条件下,用离子束外延设备制备(Ga,Gd,As)样品,X射线衍射(XRD)结果表明除了GaAs衬底峰,没有发现其他新相的衍射峰.俄歇电子能谱(AES)分析了样品中元素随深度的变化,不同样品中元素的分布有着不同的特点.并运用原子力显微镜(AFM)研究了样品表面的形貌特点,表明样品表面的粗糙度与Gd注入过程中在样品表面沉积的多少有关.运用交变梯度磁强计(AGM)对薄膜进行磁性分析,结果表明有的样品在室温条件下出现铁磁性,但金属钆本身具有室温铁磁性,因而需要进一步分析.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:32导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:32Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4760.pdf: 270489 bytes, checksum: c61b042fd6148b89cf705385274e13f5 (MD5) Previous issue date: 2004; 国家自然科学基金,国家重大基础研究计划项目; 中国科学院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,国家重大基础研究计划项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17487]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	杨少延. 低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜[J]. 固体电子学研究与进展,2004,24(2):258-261.
APA	杨少延.(2004).低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜.固体电子学研究与进展,24(2),258-261.
MLA	杨少延."低能离子束制备(Ga,Gd,As)薄膜".固体电子学研究与进展 24.2(2004):258-261.