（111）A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性

	（111）A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性
	于丽娟
刊名	液晶与显示
	2004
卷号	19 期号:2 页码:87-91
中文摘要	为了研究(111)衬底的特性以及实现等边三角形微腔激光器，利用金属有机化学气相淀积(MOCVD)研究了(111)A InP衬底上InGaAsP外延层的表面形貌和光学特性。考虑到(111)A InP衬底的悬挂键密度比较低，在生长过程中有意提高了V／III比。通过扫描电子显微镜(SEM)和光荧光(PL)谱分别研究了外延层的表面形貌和光学特性。实验发现，表面形貌和光学特性随V／III比和温度的变化非常大。最佳V／IlI比和温度分别为400和625℃。
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家“863”基金项目（2 3AA311 7 ）,国家“863”基金项目（2 3AA311 7 ）,国家重大基础研究项目（G2 366 6）
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17465]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	于丽娟. （111）A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性[J]. 液晶与显示,2004,19(2):87-91.
APA	于丽娟.(2004).（111）A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性.液晶与显示,19(2),87-91.
MLA	于丽娟."（111）A InP衬底上MOCVD外延InGaAsP的表面形貌和光学特性".液晶与显示 19.2(2004):87-91.