低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜

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	低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜
	杨少延
刊名	稀有金属
	2004
卷号	28 期号:3 页码:558-562
中文摘要	利用质量分离的低能离子束技术，获得了Fe组分渐变的Fe-Si薄膜。利用俄歇电子能谱法(AEs)、x射线衍射法(XRD)以及x射线光电子能谱法(XPS)测试了薄膜的组分、结构特性。测试结果表明，在室温下制备的Fe-Si薄膜呈非晶态。非晶薄膜在400℃下退火20 rmn后晶化，没有Fe的硅化物相形成。退火后Fe-Si薄膜的Fe组分从表面向内部逐渐降低。
英文摘要	利用质量分离的低能离子束技术，获得了Fe组分渐变的Fe-Si薄膜。利用俄歇电子能谱法(AEs)、x射线衍射法(XRD)以及x射线光电子能谱法(XPS)测试了薄膜的组分、结构特性。测试结果表明，在室温下制备的Fe-Si薄膜呈非晶态。非晶薄膜在400℃下退火20 rmn后晶化，没有Fe的硅化物相形成。退火后Fe-Si薄膜的Fe组分从表面向内部逐渐降低。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:29导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:29Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4748.pdf: 120199 bytes, checksum: fc911efaf4b1c8dbbca99eef153ec1f2 (MD5) Previous issue date: 2004; 国家自然科学基金（6 176 1；6 39 72）,国家自然科学基金（6 176 1；6 39 72）,国家重大基础研究计划资助项目（G2 365，G2 2CB3119 5）; 中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金（6 176 1；6 39 72）,国家自然科学基金（6 176 1；6 39 72）,国家重大基础研究计划资助项目（G2 365，G2 2CB3119 5）
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17463]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	杨少延. 低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜[J]. 稀有金属,2004,28(3):558-562.
APA	杨少延.(2004).低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜.稀有金属,28(3),558-562.
MLA	杨少延."低能离子束方法制备Fe组分渐变的Fe-Si薄膜".稀有金属 28.3(2004):558-562.