马赫-曾德干涉型波分复用器的容差分析

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	马赫-曾德干涉型波分复用器的容差分析
	安俊明; 李健; 李健
刊名	光电子·激光
	2004
卷号	15 期号:6 页码:645-648
中文摘要	通过耦合模理论分析了马赫-曾德干涉(MzI)型波分复用器各结构参数工艺误差对器件串扰的影响,比较了各结构参数的工艺容差性.结果表明,如果串扰要求在-30 dB以下,则波导臂长差的容差性为1%,耦合长度的容差性为2%,波导宽度的容差性较好;容差达到0.6 μm时,串扰仍然在-58 dB;波导间距对工艺精度要求最高,要求误差小于0.03μm.
英文摘要	通过耦合模理论分析了马赫-曾德干涉(MzI)型波分复用器各结构参数工艺误差对器件串扰的影响,比较了各结构参数的工艺容差性.结果表明,如果串扰要求在-30 dB以下,则波导臂长差的容差性为1%,耦合长度的容差性为2%,波导宽度的容差性较好;容差达到0.6 μm时,串扰仍然在-58 dB;波导间距对工艺精度要求最高,要求误差小于0.03μm.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:23导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:23Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4728.pdf: 243684 bytes, checksum: f2100623d2d0cd07e6763fbd07fbc6b2 (MD5) Previous issue date: 2004; 国家高技术研究发展计划资助项目,国家自然科学基金资助项目,国家重点基础研究发展规划资助项目; 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家高技术研究发展计划资助项目,国家自然科学基金资助项目,国家重点基础研究发展规划资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17423]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	安俊明,李健,李健. 马赫-曾德干涉型波分复用器的容差分析[J]. 光电子·激光,2004,15(6):645-648.
APA	安俊明,李健,&李健.(2004).马赫-曾德干涉型波分复用器的容差分析.光电子·激光,15(6),645-648.
MLA	安俊明,et al."马赫-曾德干涉型波分复用器的容差分析".光电子·激光 15.6(2004):645-648.