16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化

	16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化
	安俊明; 李健; 李健
刊名	半导体光电
	2004
卷号	25 期号:5 页码:345-348
中文摘要	对设计的折射率差为0.75%的16×0.8 nm硅基二氧化硅阵列波导光栅(AWG),围绕插损和串扰问题,采用广角有限差分束传播方法(FD-BPM)进行了数值模拟和优化.通过优化在输入波导、阵列波导的喇叭口,得到了插损为1.5 dB、串扰为-48 dB的AWG,优化后的指标已达到商用要求.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展规划资助项目,国家高技术研究发展计划资助项目,国家自然科学基金资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17405]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	安俊明,李健,李健. 16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化[J]. 半导体光电,2004,25(5):345-348.
APA	安俊明,李健,&李健.(2004).16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化.半导体光电,25(5),345-348.
MLA	安俊明,et al."16×0.8nm硅基二氧化硅AWG性能优化".半导体光电 25.5(2004):345-348.