SiON对Si基SiO_2 AWG偏振补偿的数值分析

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	SiON对Si基SiO_2 AWG偏振补偿的数值分析
	安俊明; 李健; 李健
刊名	半导体学报
	2004
卷号	25 期号:7 页码:858-862
中文摘要	采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率SiON薄膜对Si基SiO2阵列波导光栅中波导应力双折射的影响.分析结果表明在芯区上或下表面沉积SiON薄膜可以明显减小Si基SiO2阵列波导光栅(AWG)中波导的应力双折射,但这两种补偿方法容易使模场偏移中心位置,不利于波导与光纤的耦合.理想的补偿方法是在芯区上下同时补偿,可减小模场偏移,并用该方法设计了偏振无关的16通道AWG.
英文摘要	采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率SiON薄膜对Si基SiO2阵列波导光栅中波导应力双折射的影响.分析结果表明在芯区上或下表面沉积SiON薄膜可以明显减小Si基SiO2阵列波导光栅(AWG)中波导的应力双折射,但这两种补偿方法容易使模场偏移中心位置,不利于波导与光纤的耦合.理想的补偿方法是在芯区上下同时补偿,可减小模场偏移,并用该方法设计了偏振无关的16通道AWG.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:08导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4707.pdf: 298603 bytes, checksum: f713e784d2178d42552d1d5915a15029 (MD5) Previous issue date: 2004; 国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金; 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17381]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	安俊明,李健,李健. SiON对Si基SiO_2 AWG偏振补偿的数值分析[J]. 半导体学报,2004,25(7):858-862.
APA	安俊明,李健,&李健.(2004).SiON对Si基SiO_2 AWG偏振补偿的数值分析.半导体学报,25(7),858-862.
MLA	安俊明,et al."SiON对Si基SiO_2 AWG偏振补偿的数值分析".半导体学报 25.7(2004):858-862.