SiON对Si基SiO_2 AWG偏振补偿的数值分析 | |
安俊明![]() | |
刊名 | 半导体学报
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2004 | |
卷号 | 25期号:7页码:858-862 |
中文摘要 | 采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率SiON薄膜对Si基SiO2阵列波导光栅中波导应力双折射的影响.分析结果表明在芯区上或下表面沉积SiON薄膜可以明显减小Si基SiO2阵列波导光栅(AWG)中波导的应力双折射,但这两种补偿方法容易使模场偏移中心位置,不利于波导与光纤的耦合.理想的补偿方法是在芯区上下同时补偿,可减小模场偏移,并用该方法设计了偏振无关的16通道AWG. |
英文摘要 | 采用全矢量交替方向隐含迭代方法系统分析了高折射率SiON薄膜对Si基SiO2阵列波导光栅中波导应力双折射的影响.分析结果表明在芯区上或下表面沉积SiON薄膜可以明显减小Si基SiO2阵列波导光栅(AWG)中波导的应力双折射,但这两种补偿方法容易使模场偏移中心位置,不利于波导与光纤的耦合.理想的补偿方法是在芯区上下同时补偿,可减小模场偏移,并用该方法设计了偏振无关的16通道AWG.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:06:08导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:06:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4707.pdf: 298603 bytes, checksum: f713e784d2178d42552d1d5915a15029 (MD5) Previous issue date: 2004; 国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金; 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心 |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家重点基础研究发展规划,国家自然科学基金 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17381] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 安俊明,李健,李健. SiON对Si基SiO_2 AWG偏振补偿的数值分析[J]. 半导体学报,2004,25(7):858-862. |
APA | 安俊明,李健,&李健.(2004).SiON对Si基SiO_2 AWG偏振补偿的数值分析.半导体学报,25(7),858-862. |
MLA | 安俊明,et al."SiON对Si基SiO_2 AWG偏振补偿的数值分析".半导体学报 25.7(2004):858-862. |
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