低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜 | |
杨少延![]() | |
刊名 | 功能材料
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2004 | |
卷号 | 35期号:4页码:429-431 |
中文摘要 | 利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe-Si合金薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性.测试结果表明在室温下制备的Fe-Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,具有室温铁磁性.当衬底温度为300℃时制备的非晶Fe-Si薄膜中有Fe硅化物FeSi相产生,样品的铁磁性被抑制. |
英文摘要 | 利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe-Si合金薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性.测试结果表明在室温下制备的Fe-Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,具有室温铁磁性.当衬底温度为300℃时制备的非晶Fe-Si薄膜中有Fe硅化物FeSi相产生,样品的铁磁性被抑制.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:57导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4684.pdf: 218572 bytes, checksum: 5df3e10312038e285b7e5beb12800e37 (MD5) Previous issue date: 2004; 国家自然科学基金资助项目,国家重大基础研究计划资助项目; 中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家自然科学基金资助项目,国家重大基础研究计划资助项目 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17335] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 杨少延. 低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜[J]. 功能材料,2004,35(4):429-431. |
APA | 杨少延.(2004).低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜.功能材料,35(4),429-431. |
MLA | 杨少延."低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜".功能材料 35.4(2004):429-431. |
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