低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜

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	低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜
	杨少延
刊名	功能材料
	2004
卷号	35 期号:4 页码:429-431
中文摘要	利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe-Si合金薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性.测试结果表明在室温下制备的Fe-Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,具有室温铁磁性.当衬底温度为300℃时制备的非晶Fe-Si薄膜中有Fe硅化物FeSi相产生,样品的铁磁性被抑制.
英文摘要	利用质量分离的低能离子束技术,获得了磁性Fe-Si合金薄膜.利用俄歇电子能谱法(AES)、X射线衍射法(XRD)以及交变梯度样品磁强计(AGM)测试了样品的组分、结构以及磁特性.测试结果表明在室温下制备的Fe-Si合金是Fe组分渐变的非晶薄膜,具有室温铁磁性.当衬底温度为300℃时制备的非晶Fe-Si薄膜中有Fe硅化物FeSi相产生,样品的铁磁性被抑制.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:57导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:57Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4684.pdf: 218572 bytes, checksum: 5df3e10312038e285b7e5beb12800e37 (MD5) Previous issue date: 2004; 国家自然科学基金资助项目,国家重大基础研究计划资助项目; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目,国家重大基础研究计划资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17335]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	杨少延. 低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜[J]. 功能材料,2004,35(4):429-431.
APA	杨少延.(2004).低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜.功能材料,35(4),429-431.
MLA	杨少延."低能离子束方法制备磁性Fe-Si合金薄膜".功能材料 35.4(2004):429-431.