SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析

	SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析
	陈少武
刊名	半导体学报
	2004
卷号	25 期号:10 页码:1324-1330
中文摘要	利用有限元法分析了调制区内二维温度场的静态和动态分布.结果表明,上包层SiO2厚度的减小,有利于开关速度的提高和功耗的减小.增加埋层SiO2的厚度或引入绝缘槽,能有效降低器件功耗,但开关时间随之增加.电极的尺寸对开关性能影响较小.如果采用全体硅材料制作光开关,开关速度能达到5μs,但功耗将增至0.92W.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17281]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈少武. SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析[J]. 半导体学报,2004,25(10):1324-1330.
APA	陈少武.(2004).SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析.半导体学报,25(10),1324-1330.
MLA	陈少武."SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析".半导体学报 25.10(2004):1324-1330.