SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析 | |
陈少武![]() | |
刊名 | 半导体学报
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2004 | |
卷号 | 25期号:10页码:1324-1330 |
中文摘要 | 利用有限元法分析了调制区内二维温度场的静态和动态分布.结果表明,上包层SiO2厚度的减小,有利于开关速度的提高和功耗的减小.增加埋层SiO2的厚度或引入绝缘槽,能有效降低器件功耗,但开关时间随之增加.电极的尺寸对开关性能影响较小.如果采用全体硅材料制作光开关,开关速度能达到5μs,但功耗将增至0.92W. |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家高技术研究发展计划,国家重点基础研究发展规划 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17281] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 陈少武. SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析[J]. 半导体学报,2004,25(10):1324-1330. |
APA | 陈少武.(2004).SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析.半导体学报,25(10),1324-1330. |
MLA | 陈少武."SOI热光开关调制区结构与速度和功耗关系的有限元法分析".半导体学报 25.10(2004):1324-1330. |
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