离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模
	王勇刚 ; 马骁宇 ; 付圣贵 ; 范万德 ; 李强 ; 袁树忠 ; 董孝义 ; 宋晏蓉 ; 张志刚
刊名	物理学报
	2004
卷号	53 期号:6 页码:1810-1814
中文摘要	用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模.离子注入的能量为400keV的As+离子,注入剂量为1016/cm2,然后在600℃下退火20min.当抽运功率为5W时,脉冲平均输出功率为200mW,调Q包络重复频率为50kHz,半高宽为4μs,锁模脉冲重复频率为15MHz。
英文摘要	用离子注入的半绝缘GaAs晶片作为吸收体和输出镜,在双包层掺镱光纤激光器上实现了调Q锁模.离子注入的能量为400keV的As+离子,注入剂量为1016/cm2,然后在600℃下退火20min.当抽运功率为5W时,脉冲平均输出功率为200mW,调Q包络重复频率为50kHz,半高宽为4μs,锁模脉冲重复频率为15MHz。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:40导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:40Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4645.pdf: 478065 bytes, checksum: fe5811dcfc7391a8f672e186fc693c32 (MD5) Previous issue date: 2004; 中国科学院半导体研究所;南开大学现代光学研究所
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17257]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王勇刚,马骁宇,付圣贵,等. 离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模[J]. 物理学报,2004,53(6):1810-1814.
APA	王勇刚.,马骁宇.,付圣贵.,范万德.,李强.,...&张志刚.(2004).离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模.物理学报,53(6),1810-1814.
MLA	王勇刚,et al."离子注入GaAs实现双包层掺镱光纤激光器被动调Q锁模".物理学报 53.6(2004):1810-1814.