氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响

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	氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响
	胡志华 ; 廖显伯 ; 刁宏伟 ; 孔光临 ; 曾湘波 ; 徐艳月
刊名	中国科学. E辑，技术科学
	2004
卷号	34 期号:0 页码:5
中文摘要	用PECVD方法,以固定的甲烷硅烷气体流量比([CH4]/[SiH4]=1.2)和不同的氢稀释比(RH=[H2]/[CH4+SiH4]=12,22,33,102和135)制备了一系列的氢化非晶硅碳合金(a-SiC:H)薄膜.运用紫外-可见光透射谱(UV-VIS)、红外吸收谱(IR)、Raman谱以及光荧光发射谱(PL)测量研究了氢稀释和高温退火对薄膜生长和光学特性的影响.实验发现氢稀释使薄膜光学带隙展宽(从1.92到2.15 eV).高氢稀释条件下制备的薄膜经过1250℃退火后在室温下观察到可见光发光峰,峰位位于2.1 eV.结合Raman谱分析,认为发光峰源于纳米硅的量子限制效应,纳米硅被Si-C和Si-O限制.
英文摘要	用PECVD方法,以固定的甲烷硅烷气体流量比([CH4]/[SiH4]=1.2)和不同的氢稀释比(RH=[H2]/[CH4+SiH4]=12,22,33,102和135)制备了一系列的氢化非晶硅碳合金(a-SiC:H)薄膜.运用紫外-可见光透射谱(UV-VIS)、红外吸收谱(IR)、Raman谱以及光荧光发射谱(PL)测量研究了氢稀释和高温退火对薄膜生长和光学特性的影响.实验发现氢稀释使薄膜光学带隙展宽(从1.92到2.15 eV).高氢稀释条件下制备的薄膜经过1250℃退火后在室温下观察到可见光发光峰,峰位位于2.1 eV.结合Raman谱分析,认为发光峰源于纳米硅的量子限制效应,纳米硅被Si-C和Si-O限制.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:31导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4608.pdf: 249638 bytes, checksum: 807db003b14ac9c9f85adc048cedb7dc (MD5) Previous issue date: 2004; 国家重大基础研究规划项目(973)资助; 云南师范大学能源与环境科学学院;中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重大基础研究规划项目(973)资助
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17219]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	胡志华,廖显伯,刁宏伟,等. 氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响[J]. 中国科学. E辑，技术科学,2004,34(0):5.
APA	胡志华,廖显伯,刁宏伟,孔光临,曾湘波,&徐艳月.(2004).氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响.中国科学. E辑，技术科学,34(0),5.
MLA	胡志华,et al."氢稀释对非晶硅碳(a-SiC:H)合金薄膜生长和光学特性的影响".中国科学. E辑，技术科学 34.0(2004):5.