氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究

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	氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究
	李庚伟 ; 吴正龙 ; 邵素珍 ; 张建辉 ; 刘志凯
刊名	材料导报
	2005
卷号	19 期号:2 页码:109-111
中文摘要	利用X射线衍射(XRD),X射线摇摆曲线(XRC)和X射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的ZnO/Si异质结薄膜进行了分析.结果表明:用该法可生长出高度c轴单一取向ZnO薄膜,XRC的半高宽度(FWHM)仅为2.918°.表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的ZnO/Si薄膜.
英文摘要	利用X射线衍射(XRD),X射线摇摆曲线(XRC)和X射线光电子能谱(XPS)分析方法对氧离子束辅助激光淀积生长的ZnO/Si异质结薄膜进行了分析.结果表明:用该法可生长出高度c轴单一取向ZnO薄膜,XRC的半高宽度(FWHM)仅为2.918°.表明此生长方法经优化,可生长出单晶质量很好的ZnO/Si薄膜.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:05:08导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:05:08Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4566.pdf: 273626 bytes, checksum: 23b3457a9f7469ade700404233015851 (MD5) Previous issue date: 2005; 国家"863"计划资助项目; （北京）中国地质大学材料科学与工程学院;北京师范大学分析测试中心;北京市第四十七中学;中科院半导体所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家"863"计划资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17153]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	李庚伟,吴正龙,邵素珍,等. 氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究[J]. 材料导报,2005,19(2):109-111.
APA	李庚伟,吴正龙,邵素珍,张建辉,&刘志凯.(2005).氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究.材料导报,19(2),109-111.
MLA	李庚伟,et al."氧离子束辅助激光淀积生长ZnO/Si的研究".材料导报 19.2(2005):109-111.