大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱

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	大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱
	牛智川; 王晓东
刊名	红外与毫米波学报
	2005
卷号	24 期号:3 页码:207-212
中文摘要	在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明失配应变与弹性系数随压力的变化是大量子点压力系数小的主要原因之一.压力实验结果还表明大量子点的第一激发态发光峰来源于电子的第一激发态到空穴的第一激发态的跃迁.
英文摘要	在低温15K和0～9GPa范围内对厚度为7.3nm、横向尺寸为78nm的自组织InAs/GaAs量子点进行了压力光谱研究.观测到大量子点的基态与第一激发态发光峰,其压力系数只有69和72meV/GPa,比小量子点的压力系数更小.基于非线性弹性理论的分析表明失配应变与弹性系数随压力的变化是大量子点压力系数小的主要原因之一.压力实验结果还表明大量子点的第一激发态发光峰来源于电子的第一激发态到空穴的第一激发态的跃迁.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:04:56导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4538.pdf: 288524 bytes, checksum: a1b2f3576a33fc2a4fdffbf1944ecefe (MD5) Previous issue date: 2005; 国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划(973计划),中国科学院纳米科学与技术资助项目; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划(973计划),中国科学院纳米科学与技术资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17099]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	牛智川,王晓东. 大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱[J]. 红外与毫米波学报,2005,24(3):207-212.
APA	牛智川,&王晓东.(2005).大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱.红外与毫米波学报,24(3),207-212.
MLA	牛智川,et al."大尺寸InAs/GaAs量子点的静压光谱".红外与毫米波学报 24.3(2005):207-212.