GaN生长速率的研究

	GaN生长速率的研究
	金瑞琴; 赵德刚
刊名	半导体学报
	2005
卷号	26 期号:4 页码:726-729
中文摘要	采用在位监控方法研究了MOCVD系统中GaN材料的外延生长速率与NH3流量、TMGa流量、Ⅴ/Ⅲ比等生长参数的关系.GaN生长速率随NH3流量的提高先增加后减小,而随TMGa流量的增加线性的增加.在不同NH3流量的情况下,GaN生长速率随TMGa流量增加的速率不同.GaN的生长速率与Ⅴ/Ⅲ比没有直接的关系,而与NH3,TMGa等条件有关.实验结果表明,MOCVD系统中存在着较强的预反应.预反应的程度与TMGa的流量成正比.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17077]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	金瑞琴,赵德刚. GaN生长速率的研究[J]. 半导体学报,2005,26(4):726-729.
APA	金瑞琴,&赵德刚.(2005).GaN生长速率的研究.半导体学报,26(4),726-729.
MLA	金瑞琴,et al."GaN生长速率的研究".半导体学报 26.4(2005):726-729.