采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件

	采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件
	陈晓娟 ; 刘新宇 ; 和致经 ; 刘键 ; 邵刚 ; 魏珂 ; 吴德馨 ; 王晓亮 ; 周钧铭 ; 陈宏
刊名	电子器件
	2005
卷号	28 期号:3 页码:479-481
中文摘要	为了进一步减小栅漏电,提高击穿电压,将MOS结构的优点引入ALGaN/GaN HEMT器件中,研制并分析了新型的基于AlGaN/GaN的 MOS-HFET结构.采用等离子增强气相化学沉积(PECVD)的方法生长了50 nm的SiO2作为栅绝缘层,新型的AlGaN/GaN MOS-HFET器件栅长1 μm,栅宽80 μm,测得最大饱和输出电流为784 mA/mm,最大跨导为44.25 ms/mm,最高栅偏压+6 V.
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17059]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	陈晓娟,刘新宇,和致经,等. 采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件[J]. 电子器件,2005,28(3):479-481.
APA	陈晓娟.,刘新宇.,和致经.,刘键.,邵刚.,...&陈宏.(2005).采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件.电子器件,28(3),479-481.
MLA	陈晓娟,et al."采用PECVD方法制作SiO2绝缘层的AlGaN/GaN MOS-HFET器件".电子器件 28.3(2005):479-481.