埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响
	郑中山 ; 刘忠立 ; 张国强 ; 李宁 ; 范楷 ; 张恩霞 ; 易万兵 ; 陈猛 ; 王曦
刊名	物理学报
	2005
卷号	54 期号:1 页码:348-353
中文摘要	研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOInMOSFET的特性产生的影响.实验发现,与不注氮的SIMOX基片相比,由注氮SIMON基片制作的nMOSFET的电子迁移率降低了.且由最低注入剂量的SIMON基片制作的器件具有最低的迁移率.随注入剂量的增加,迁移率略有上升,并趋于饱和.分析认为,电子迁移率的降低是由于Si/SiO2界面的不平整造成的.实验还发现,随氮注入剂量的提高,nMOSFET的阈值电压往负向漂移.但是,对应最低注入剂量的器件阈值电压却大于用SIMOX基片制作出的器件.固定氧化物正电荷及界面陷阱密度的大小和分布的变化可能是导致阈值电压变化的主要因素.另外发现,用注氮基片制作出的部分耗尽SOInMOSFET的kink效应明显弱于用不注氮的SIMOX基片制作的器件.
英文摘要	研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOInMOSFET的特性产生的影响.实验发现,与不注氮的SIMOX基片相比,由注氮SIMON基片制作的nMOSFET的电子迁移率降低了.且由最低注入剂量的SIMON基片制作的器件具有最低的迁移率.随注入剂量的增加,迁移率略有上升,并趋于饱和.分析认为,电子迁移率的降低是由于Si/SiO2界面的不平整造成的.实验还发现,随氮注入剂量的提高,nMOSFET的阈值电压往负向漂移.但是,对应最低注入剂量的器件阈值电压却大于用SIMOX基片制作出的器件.固定氧化物正电荷及界面陷阱密度的大小和分布的变化可能是导致阈值电压变化的主要因素.另外发现,用注氮基片制作出的部分耗尽SOInMOSFET的kink效应明显弱于用不注氮的SIMOX基片制作的器件.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:04:45导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4507.pdf: 543236 bytes, checksum: a65e7e330f967361c7432105166c5a0c (MD5) Previous issue date: 2005; 中国科学院半导体研究所微电子研究与发展中心;中国科学院上海微系统与信息技术研究所
学科主题	微电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/17055]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	郑中山,刘忠立,张国强,等. 埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响[J]. 物理学报,2005,54(1):348-353.
APA	郑中山.,刘忠立.,张国强.,李宁.,范楷.,...&王曦.(2005).埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响.物理学报,54(1),348-353.
MLA	郑中山,et al."埋氧层注氮工艺对部分耗尽SOI nMOSFET特性的影响".物理学报 54.1(2005):348-353.