有缺陷和无缺陷量子点内应变分布的比较与分析

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	有缺陷和无缺陷量子点内应变分布的比较与分析
	杨红波 ; 俞重远 ; 刘玉敏 ; 黄永箴
刊名	高技术通讯
	2005
卷号	15 期号:6 页码:46-49
中文摘要	阐述了量子点内能级结构与应变的关系，用ANSYS7．1计算了有缺陷和无缺陷两种情况下
英文摘要	阐述了量子点内能级结构与应变的关系，用ANSYS7．1计算了有缺陷和无缺陷两种情况下; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:04:21导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:21Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4453.pdf: 310182 bytes, checksum: a32971ec940eda4b537c31d7e916170b (MD5) Previous issue date: 2005; 863计划,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室开放课题资助项目; 北京邮电大学理学院;中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	863计划,中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点联合实验室开放课题资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16949]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	杨红波,俞重远,刘玉敏,等. 有缺陷和无缺陷量子点内应变分布的比较与分析[J]. 高技术通讯,2005,15(6):46-49.
APA	杨红波,俞重远,刘玉敏,&黄永箴.(2005).有缺陷和无缺陷量子点内应变分布的比较与分析.高技术通讯,15(6),46-49.
MLA	杨红波,et al."有缺陷和无缺陷量子点内应变分布的比较与分析".高技术通讯 15.6(2005):46-49.