p型纳米硅与a-Si∶H不锈钢底衬nip太阳电池

	p型纳米硅与a-Si∶H不锈钢底衬nip太阳电池
	胡志华 ; 廖显伯 ; 刁宏伟 ; 夏朝凤 ; 曾湘波 ; 郝会颖 ; 孔光临
刊名	物理学报
	2005
卷号	54 期号:6 页码:2945-2949
中文摘要	报道了选用厚度为0．05mm的不锈钢箔作衬底，B掺杂P型氢化纳米硅作窗口层，制备成功开路电压和填充因子分别达到0．90V和0．70的nip非晶硅基薄膜单结太阳电池．UV-VIS透射谱和微区Raman谱证实所用p层具有典型氢化纳米硅的宽能隙和含有硅结晶颗粒的微结构特征．明确指出导致这种氢化纳米硅能隙展宽的物理机制是量子尺寸效应．
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重大基础研究计划(973)项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16945]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	胡志华,廖显伯,刁宏伟,等. p型纳米硅与a-Si∶H不锈钢底衬nip太阳电池[J]. 物理学报,2005,54(6):2945-2949.
APA	胡志华.,廖显伯.,刁宏伟.,夏朝凤.,曾湘波.,...&孔光临.(2005).p型纳米硅与a-Si∶H不锈钢底衬nip太阳电池.物理学报,54(6),2945-2949.
MLA	胡志华,et al."p型纳米硅与a-Si∶H不锈钢底衬nip太阳电池".物理学报 54.6(2005):2945-2949.