多层InAs量子点的光致发光研究

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	多层InAs量子点的光致发光研究
	牛智川
刊名	半导体光电
	2005
卷号	26 期号:6 页码:519-522
中文摘要	采用MBE设备生长了多层InAs／GaAs量子点结构，测量了其变温光致发光谱和时间分辨光致发光谱。结果表明多层量子点结构有利于减小发光峰的半高宽，并且可以提高发光峰半高宽和发光寿命的温度稳定性。实验发现，加InGaAs盖层后，量子点发光峰的半高宽进一步减小，最小达到23．6meV，并且发光峰出现红移。原因可能在于InGaAS盖层减小了InAs岛所受的应力，阻止了In组分的偏析，提高了InAs量子点尺寸分布的均匀性和质量，导致载流子在不同量子点中的迁移效应减弱。
英文摘要	采用MBE设备生长了多层InAs／GaAs量子点结构，测量了其变温光致发光谱和时间分辨光致发光谱。结果表明多层量子点结构有利于减小发光峰的半高宽，并且可以提高发光峰半高宽和发光寿命的温度稳定性。实验发现，加InGaAs盖层后，量子点发光峰的半高宽进一步减小，最小达到23．6meV，并且发光峰出现红移。原因可能在于InGaAS盖层减小了InAs岛所受的应力，阻止了In组分的偏析，提高了InAs量子点尺寸分布的均匀性和质量，导致载流子在不同量子点中的迁移效应减弱。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:04:02导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4410.pdf: 254455 bytes, checksum: f04b9f5f3f6c22128ac07304b9b4a0b3 (MD5) Previous issue date: 2005; 厦门大学物理系;中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16891]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	牛智川. 多层InAs量子点的光致发光研究[J]. 半导体光电,2005,26(6):519-522.
APA	牛智川.(2005).多层InAs量子点的光致发光研究.半导体光电,26(6),519-522.
MLA	牛智川."多层InAs量子点的光致发光研究".半导体光电 26.6(2005):519-522.