多层InAs量子点的光致发光研究 | |
牛智川![]() | |
刊名 | 半导体光电
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2005 | |
卷号 | 26期号:6页码:519-522 |
中文摘要 | 采用MBE设备生长了多层InAs/GaAs量子点结构,测量了其变温光致发光谱和时间分辨光致发光谱。结果表明多层量子点结构有利于减小发光峰的半高宽,并且可以提高发光峰半高宽和发光寿命的温度稳定性。实验发现,加InGaAs盖层后,量子点发光峰的半高宽进一步减小,最小达到23.6meV,并且发光峰出现红移。原因可能在于InGaAS盖层减小了InAs岛所受的应力,阻止了In组分的偏析,提高了InAs量子点尺寸分布的均匀性和质量,导致载流子在不同量子点中的迁移效应减弱。 |
英文摘要 | 采用MBE设备生长了多层InAs/GaAs量子点结构,测量了其变温光致发光谱和时间分辨光致发光谱。结果表明多层量子点结构有利于减小发光峰的半高宽,并且可以提高发光峰半高宽和发光寿命的温度稳定性。实验发现,加InGaAs盖层后,量子点发光峰的半高宽进一步减小,最小达到23.6meV,并且发光峰出现红移。原因可能在于InGaAS盖层减小了InAs岛所受的应力,阻止了In组分的偏析,提高了InAs量子点尺寸分布的均匀性和质量,导致载流子在不同量子点中的迁移效应减弱。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:04:02导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:04:02Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4410.pdf: 254455 bytes, checksum: f04b9f5f3f6c22128ac07304b9b4a0b3 (MD5) Previous issue date: 2005; 厦门大学物理系;中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 半导体物理 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16891] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 牛智川. 多层InAs量子点的光致发光研究[J]. 半导体光电,2005,26(6):519-522. |
APA | 牛智川.(2005).多层InAs量子点的光致发光研究.半导体光电,26(6),519-522. |
MLA | 牛智川."多层InAs量子点的光致发光研究".半导体光电 26.6(2005):519-522. |
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