应变自组织量子点的几何形态对应变场分布的影响

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	应变自组织量子点的几何形态对应变场分布的影响
	刘玉敏 ; 俞重远 ; 杨红波 ; 黄永箴
刊名	半导体学报
	2005
卷号	26 期号:12 页码:2355-2362
中文摘要	采用自组织生长应变量子点的二维轴对称模型，系统分析了量子点内部及周围材料的应变分布．分别对透镜形、圆柱形、圆锥形和金字塔形量子点的应变分布进行了比较．结果表明主应变和切应变的分布受几何形状影响比较明显，静水应变几乎不受几何形状改变的影响，无论是在中心轴路径还是量子点周边路径静水应变基本一致，中心轴路径无切向应变分量，切向应变分量主要集中在量子点的边界，但在量子点几何边界的中心无切向应变，切向应变的极值分布在几何边界的拐点处．
英文摘要	采用自组织生长应变量子点的二维轴对称模型，系统分析了量子点内部及周围材料的应变分布．分别对透镜形、圆柱形、圆锥形和金字塔形量子点的应变分布进行了比较．结果表明主应变和切应变的分布受几何形状影响比较明显，静水应变几乎不受几何形状改变的影响，无论是在中心轴路径还是量子点周边路径静水应变基本一致，中心轴路径无切向应变分量，切向应变分量主要集中在量子点的边界，但在量子点几何边界的中心无切向应变，切向应变的极值分布在几何边界的拐点处．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:45导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4369.pdf: 1278903 bytes, checksum: 0afc3d09ca159f76a9ca029576f2dc42 (MD5) Previous issue date: 2005; 国家重点基础研究发展计划,国家高技术研究发展计划,集成光电子学国家重点联合实验室开放课题资助项目; 北京邮电大学理学院;中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展计划,国家高技术研究发展计划,集成光电子学国家重点联合实验室开放课题资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16809]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘玉敏,俞重远,杨红波,等. 应变自组织量子点的几何形态对应变场分布的影响[J]. 半导体学报,2005,26(12):2355-2362.
APA	刘玉敏,俞重远,杨红波,&黄永箴.(2005).应变自组织量子点的几何形态对应变场分布的影响.半导体学报,26(12),2355-2362.
MLA	刘玉敏,et al."应变自组织量子点的几何形态对应变场分布的影响".半导体学报 26.12(2005):2355-2362.