大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计 | |
王俊; 王俊 | |
刊名 | 半导体学报
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2005 | |
卷号 | 26期号:12页码:2449-2454 |
中文摘要 | 本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs 808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系.根据计算结果可知 |
英文摘要 | 本文对有源区条宽100μm的GaAsP/AlGaAs 808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计.选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分,分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系.根据计算结果可知; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:44导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4365.pdf: 354315 bytes, checksum: 3c2eb454b9edad9cd8f2e39884d9711a (MD5) Previous issue date: 2005; 中科院半导体所 |
学科主题 | 半导体器件 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16801] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 王俊,王俊. 大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计[J]. 半导体学报,2005,26(12):2449-2454. |
APA | 王俊,&王俊.(2005).大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计.半导体学报,26(12),2449-2454. |
MLA | 王俊,et al."大功率宽面808nm GaAsP/AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计".半导体学报 26.12(2005):2449-2454. |
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