大功率宽面808nm GaAsP／AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计

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	大功率宽面808nm GaAsP／AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计
	王俊; 王俊
刊名	半导体学报
	2005
卷号	26 期号:12 页码:2449-2454
中文摘要	本文对有源区条宽100μm的GaAsP／AlGaAs 808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计．选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分，分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系．根据计算结果可知
英文摘要	本文对有源区条宽100μm的GaAsP／AlGaAs 808nm量子阱激光器分别限制结构进行了理论分析和设计．选取了三种情况的波导层和限制层的铝组分，分别计算和分析了波导层厚度与激光器光限制因子、最大出光功率、垂直发散角和阈值电流密度的函数关系．根据计算结果可知; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:44导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:44Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4365.pdf: 354315 bytes, checksum: 3c2eb454b9edad9cd8f2e39884d9711a (MD5) Previous issue date: 2005; 中科院半导体所
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16801]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王俊,王俊. 大功率宽面808nm GaAsP／AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计[J]. 半导体学报,2005,26(12):2449-2454.
APA	王俊,&王俊.(2005).大功率宽面808nm GaAsP／AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计.半导体学报,26(12),2449-2454.
MLA	王俊,et al."大功率宽面808nm GaAsP／AlGaAs量子阱激光器分别限制结构设计".半导体学报 26.12(2005):2449-2454.