掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光
	宋淑芳 ; 陈维德 ; 张春光 ; 卞留芳 ; 许振嘉
刊名	发光学报
	2005
卷号	26 期号:4 页码:513-516
中文摘要	利用背散射／沟道（RBS／C）技术、原子力显微镜（AFM）和光致发光（PL）谱研究了掺镨GaN薄膜的微结构和可见光发光特性。RBS／C结果表明，注入Pr后，在注入层引入了晶格损伤；注入样品经1050℃退火后，部分损伤得到恢复，但是晶体质量没有恢复到注入前的状态。AFM结果表明，注入Pr后，表面凹凸不平，而且在注入区引起了膨胀，膨胀幅度达到23．368nm左右。PL结果表明，在850—1050℃退火，发光强度按e指数增加；当退火温度达到1050℃，发光强度最强，经过数据拟合可得Pr^3＋的热激活能为5．8eV。
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16757]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	宋淑芳,陈维德,张春光,等. 掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光[J]. 发光学报,2005,26(4):513-516.
APA	宋淑芳,陈维德,张春光,卞留芳,&许振嘉.(2005).掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光.发光学报,26(4),513-516.
MLA	宋淑芳,et al."掺镨GaN薄膜的微结构与光致发光".发光学报 26.4(2005):513-516.