超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源
	王圩; 潘教青
刊名	物理学报
	2006
卷号	55 期号:1 页码:261-266
中文摘要	采用超低压（22×10^2Pa）选择区域生长（selective area growth，SAG）金属有机化学气相沉积（metal—organic chemical vapor deposition，MOCVD）技术成功制备了InGaAsP／InGaAsP级联电吸收调制器（electroabsorption modulator，EAM）与分布反馈激光器（distributed feedback laser，DFB）单片集成光源的新型光电器件．实验结果表明，采用该技术制备的器件具有良好的性能
英文摘要	采用超低压（22×10^2Pa）选择区域生长（selective area growth，SAG）金属有机化学气相沉积（metal—organic chemical vapor deposition，MOCVD）技术成功制备了InGaAsP／InGaAsP级联电吸收调制器（electroabsorption modulator，EAM）与分布反馈激光器（distributed feedback laser，DFB）单片集成光源的新型光电器件．实验结果表明，采用该技术制备的器件具有良好的性能; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:31导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:31Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4327.pdf: 430325 bytes, checksum: 758e36afc6f7702f3cf4b1a9d5f9d303 (MD5) Previous issue date: 2006; 国家重点基础研究发展计划（973）项目,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金资助的课题; 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心;北京邮电大学
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展计划（973）项目,国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金资助的课题
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16741]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王圩,潘教青. 超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源[J]. 物理学报,2006,55(1):261-266.
APA	王圩,&潘教青.(2006).超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源.物理学报,55(1),261-266.
MLA	王圩,et al."超低压选择区域生长法制备产生10GHz重复率超短光脉冲的级联电吸收调制器与分布反馈激光器单片集成光源".物理学报 55.1(2006):261-266.