掩埋式多模干涉型分束器的反射性能

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	掩埋式多模干涉型分束器的反射性能
	李健; 安俊明; 李健
刊名	光学技术
	2006
卷号	32 期号:1 页码:80-81
中文摘要	通过束传播方法（RPM）模拟了SiO2基掩埋式波导结构多模干涉（MMI）型分束器的反射性能，模拟结果表明，MMI工作在分束模式时存在最优的多模干涉长度实现最大输出和最小反射，而在合束模式下实现最大输出时反射也达到最大，这是由自映象原理决定的。SiO2基掩埋式波导结构MMI分束器对反射具有良好的抑制作用，其最大反射功率为-60dB。分析表明，多模干涉区末端的界面反射率决定了器件的反射强弱，SiO2基掩埋式波导的界面反射率非常低，这是其低反射的原因。
英文摘要	通过束传播方法（RPM）模拟了SiO2基掩埋式波导结构多模干涉（MMI）型分束器的反射性能，模拟结果表明，MMI工作在分束模式时存在最优的多模干涉长度实现最大输出和最小反射，而在合束模式下实现最大输出时反射也达到最大，这是由自映象原理决定的。SiO2基掩埋式波导结构MMI分束器对反射具有良好的抑制作用，其最大反射功率为-60dB。分析表明，多模干涉区末端的界面反射率决定了器件的反射强弱，SiO2基掩埋式波导的界面反射率非常低，这是其低反射的原因。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:30导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:30Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4325.pdf: 262627 bytes, checksum: 7d384fe0f543be4f053015abb430925a (MD5) Previous issue date: 2006; 国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划; 中国科学院半导体研究所光电子研究发展中心
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金,国家重点基础研究发展规划
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16737]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	李健,安俊明,李健. 掩埋式多模干涉型分束器的反射性能[J]. 光学技术,2006,32(1):80-81.
APA	李健,安俊明,&李健.(2006).掩埋式多模干涉型分束器的反射性能.光学技术,32(1),80-81.
MLA	李健,et al."掩埋式多模干涉型分束器的反射性能".光学技术 32.1(2006):80-81.