化学气相传输法生长ZnO单晶

	化学气相传输法生长ZnO单晶
	魏学成
刊名	半导体学报
	2006
卷号	27 期号:2 页码:336-339
中文摘要	利用化学气相传输法生长了ZnO单晶．通过控制源区和生长端的温度梯度，使用碳辅助增强质量传尊挚应，在无籽晶自发成核的条件下，得到了晶粒尺寸达5mm×8mm的ZnO晶体．利用长有GaN层的蓝宝石号片待为籽晶，得到了直径32mm、厚4mm左右的ZnO单晶体．用光致发光谱和X射线双晶衍射研究了ZnO晶体的性质并对生长的热力学过程和现象进行了分析．
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16727]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	魏学成. 化学气相传输法生长ZnO单晶[J]. 半导体学报,2006,27(2):336-339.
APA	魏学成.(2006).化学气相传输法生长ZnO单晶.半导体学报,27(2),336-339.
MLA	魏学成."化学气相传输法生长ZnO单晶".半导体学报 27.2(2006):336-339.