纳米Si镶嵌SiO2薄膜的发光与非线性光学特性的应用

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	纳米Si镶嵌SiO2薄膜的发光与非线性光学特性的应用
	郭亨群 ; 林赏心 ; 王启明
刊名	半导体学报
	2006
卷号	27 期号:2 页码:345-349
中文摘要	采用射频磁控溅射技术和热退火处理制备了纳米Si镶嵌SiO2薄膜，在室温下观察到光致发光现象，峰值分别位于360，430和835nm，结合吸收谱、光致发光激发谱和X射线衍射分析讨论了发光机理．利用纳米Si镶嵌SiO2薄膜的非线性光学特性可作为可饱和吸收体，在Nd
英文摘要	采用射频磁控溅射技术和热退火处理制备了纳米Si镶嵌SiO2薄膜，在室温下观察到光致发光现象，峰值分别位于360，430和835nm，结合吸收谱、光致发光激发谱和X射线衍射分析讨论了发光机理．利用纳米Si镶嵌SiO2薄膜的非线性光学特性可作为可饱和吸收体，在Nd; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:28导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4319.pdf: 335894 bytes, checksum: c3eb467714341228fca9bf7fb4aa3171 (MD5) Previous issue date: 2006; 国家自然科学基金重点资助项目; 华侨大学;中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金重点资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16725]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	郭亨群,林赏心,王启明. 纳米Si镶嵌SiO2薄膜的发光与非线性光学特性的应用[J]. 半导体学报,2006,27(2):345-349.
APA	郭亨群,林赏心,&王启明.(2006).纳米Si镶嵌SiO2薄膜的发光与非线性光学特性的应用.半导体学报,27(2),345-349.
MLA	郭亨群,et al."纳米Si镶嵌SiO2薄膜的发光与非线性光学特性的应用".半导体学报 27.2(2006):345-349.