用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷
	邵云东 ; 王柱 ; 赵有文 ; 唐方圆
刊名	武汉大学学报. 理学版
	2006
卷号	52 期号:1 页码:35-39
中文摘要	用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品．揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷，具有284ps左右的寿命值．电子辐照能使这种缺陷的浓度增大，使平均寿命值从辐照前的265Ps增大到辐照后的268ps．低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷Gasb．掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa，284 ps类型的缺陷．
英文摘要	用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品．揭示出原牛未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷，具有284ps左右的寿命值．电子辐照能使这种缺陷的浓度增大，使平均寿命值从辐照前的265Ps增大到辐照后的268ps．低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷Gasb．掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa，284 ps类型的缺陷．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:28导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:28Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4317.pdf: 415872 bytes, checksum: 5c16d2adc125ebf29cf0df5316d11c84 (MD5) Previous issue date: 2006; 国家自然科学基金资助项目,四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室开放课题基金资助项目; 武汉大学物理科学与技术学院;中国科学院半导体研究所;四川大学
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目,四川大学辐射物理及技术教育部重点实验室开放课题基金资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16721]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	邵云东,王柱,赵有文,等. 用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷[J]. 武汉大学学报. 理学版,2006,52(1):35-39.
APA	邵云东,王柱,赵有文,&唐方圆.(2006).用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷.武汉大学学报. 理学版,52(1),35-39.
MLA	邵云东,et al."用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷".武汉大学学报. 理学版 52.1(2006):35-39.