低温GaAs被动调Q锁模Nd：Gd0．42Y0．58VO4混晶激光器特性研究

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	低温GaAs被动调Q锁模Nd：Gd0．42Y0．58VO4混晶激光器特性研究
	卓壮 ; 姜其畅 ; 王勇刚 ; 苏艳丽 ; 李涛 ; 李建
刊名	光学学报
	2006
卷号	26 期号:1 页码:77-80
中文摘要	采用低温生长GaAs晶体作为被动饱和吸收体兼输出镜,实现了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4混晶激光器的调Q锁模运转。研究了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4激光器的基频运转特性。在输出镜透射率T=10%、腔长L=40 mm的情况下,当抽运功率为8.6 W时,获得激光输出功率3.78 W,光光转换效率为43.9%。并测量了Nd∶Gd0.42Y0.58VO4混晶被动调Q激光器的输出特性。实验结果表明激光器调Q运转阈值为2 W,当抽运功率为3.7 W时,激光器出现调Q锁模行为;当抽运功率为8.6 W时,激光器调Q锁模深度达70%以上,对应的脉冲包络重复频率为670 kHz,半峰全宽为180 ns,平均输出功率为1.35 W,光光转换效率为15.7%。
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
资助信息	山东省科技厅科技攻关计划资助课题
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16713]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	卓壮,姜其畅,王勇刚,等. 低温GaAs被动调Q锁模Nd：Gd0．42Y0．58VO4混晶激光器特性研究[J]. 光学学报,2006,26(1):77-80.
APA	卓壮,姜其畅,王勇刚,苏艳丽,李涛,&李建.(2006).低温GaAs被动调Q锁模Nd：Gd0．42Y0．58VO4混晶激光器特性研究.光学学报,26(1),77-80.
MLA	卓壮,et al."低温GaAs被动调Q锁模Nd：Gd0．42Y0．58VO4混晶激光器特性研究".光学学报 26.1(2006):77-80.