用于10Gb／s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源

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	用于10Gb／s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源
	王圩; 潘教青
刊名	物理学报
	2006
卷号	55 期号:3 页码:1259-1263
中文摘要	采用超低压（22×10^2Pa）选择区域生长（selective area growth，SAG）金属有机化学气相沉积（metal-organic chemical vapor deposition。MOCVD）技术成功制备了应变型InGaAsP／InGaAsP电吸收调制器（electroabsorption modulator，EAM）与分布反馈激光器（distribute feedback laser，DFB）单片集成光源的新型光电器件．实验结果表明。采用该技术制备的集成器件表现出了良好的性能
英文摘要	采用超低压（22×10^2Pa）选择区域生长（selective area growth，SAG）金属有机化学气相沉积（metal-organic chemical vapor deposition。MOCVD）技术成功制备了应变型InGaAsP／InGaAsP电吸收调制器（electroabsorption modulator，EAM）与分布反馈激光器（distribute feedback laser，DFB）单片集成光源的新型光电器件．实验结果表明。采用该技术制备的集成器件表现出了良好的性能; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:24导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:24Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4308.pdf: 302116 bytes, checksum: 74a79a1ead211344d5de344c45995ef5 (MD5) Previous issue date: 2006; 国家重点基础研究发展规划（973）项目,国家高技术研究发展计划（863）项目; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家重点基础研究发展规划（973）项目,国家高技术研究发展计划（863）项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16703]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	王圩,潘教青. 用于10Gb／s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源[J]. 物理学报,2006,55(3):1259-1263.
APA	王圩,&潘教青.(2006).用于10Gb／s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源.物理学报,55(3),1259-1263.
MLA	王圩,et al."用于10Gb／s传输系统的电吸收调制器与分布反馈激光器集成光源".物理学报 55.3(2006):1259-1263.