掺Er／Pr的GaN薄膜深能级的研究

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	掺Er／Pr的GaN薄膜深能级的研究
	宋淑芳 ; 陈维德 ; 许振嘉 ; 徐叙瑢
刊名	物理学报
	2006
卷号	55 期号:3 页码:1407-1412
中文摘要	利用深能级瞬态谱（DLTS）、傅里叶变换红外光谱（FT-IR）对GaN以及GaN掺Er／Pr的样品进行了电学和光学特性分析．研究发现未掺杂的GaN样品只在导带下0．270eV处有一个深能级；GaN注入Er经900℃，30min退火后的样品出现了四个深能级，能级位置位于导带下0．300eV，0．188eV，0．600eV和0．410eV；GaN注入Pr经1050℃，30min退火后的样品同样出现了四个深能级。能级位置位于导带下0．280eV，0．190eV，0．610eV和0．390eV；对每一个深能级的来源进行了讨论．光谱研究表明，掺Er的GaN样品经900℃，30min退火后，可以观察到Er的1538nm处的发光。而且对能量输运和发光过程进行了讨论．
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划项目（973计划）,中国博士后科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16701]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	宋淑芳,陈维德,许振嘉,等. 掺Er／Pr的GaN薄膜深能级的研究[J]. 物理学报,2006,55(3):1407-1412.
APA	宋淑芳,陈维德,许振嘉,&徐叙瑢.(2006).掺Er／Pr的GaN薄膜深能级的研究.物理学报,55(3),1407-1412.
MLA	宋淑芳,et al."掺Er／Pr的GaN薄膜深能级的研究".物理学报 55.3(2006):1407-1412.