1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器

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	1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器
	牛智川; 韩勤; 彭红玲
刊名	光子学报
	2006
卷号	35 期号:4 页码:549-551
中文摘要	利用低温（200℃）生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1．55μm谐振腔增强型（RCE）光电探测器，对其光电特性进行了分析、研究．无光照0偏压下探测器暗电流为8．0×10^12A；光电流谱峰值波长1563nm；响应谱线半宽4nm，具有良好的波长选择性．
英文摘要	利用低温（200℃）生长的GaAs材料作为吸收层制备了GaAs基1．55μm谐振腔增强型（RCE）光电探测器，对其光电特性进行了分析、研究．无光照0偏压下探测器暗电流为8．0×10^12A；光电流谱峰值波长1563nm；响应谱线半宽4nm，具有良好的波长选择性．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:10导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:11Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4293.pdf: 187809 bytes, checksum: 79c2ea2457dc365ff90144f587dff1cd (MD5) Previous issue date: 2006; 国家自然科学基金,国家973计划,863计划资助项目; 中国科学院半导体研究所
学科主题	半导体器件
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,国家973计划,863计划资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16673]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	牛智川,韩勤,彭红玲. 1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器[J]. 光子学报,2006,35(4):549-551.
APA	牛智川,韩勤,&彭红玲.(2006).1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器.光子学报,35(4),549-551.
MLA	牛智川,et al."1．55μm低温生长GaAs谐振腔增强型探测器".光子学报 35.4(2006):549-551.