紫外写入技术制备光波导器件研究

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	紫外写入技术制备光波导器件研究
	安俊明
刊名	半导体学报
	2006
卷号	27 期号:4 页码:744-746
中文摘要	研究了采用PECVD方法生长的Si基SiO2波导材料的光敏特性．经过高压载氢处理，利用KrF准分子激光脉冲（工作波长为248nm）在波导材料中诱导出的折射率变化量达到0．005，相对值约增加0．34％．详细研究了紫外光诱导出的折射率变化沿样品深度方向的分布情况．最后，采用紫外写入法在PECVD方法生长的Si基SiO2波导芯层中制备出了单模波导和Y分束器样品，并观测到了通光现象，实测结果与模拟结果一致．
英文摘要	研究了采用PECVD方法生长的Si基SiO2波导材料的光敏特性．经过高压载氢处理，利用KrF准分子激光脉冲（工作波长为248nm）在波导材料中诱导出的折射率变化量达到0．005，相对值约增加0．34％．详细研究了紫外光诱导出的折射率变化沿样品深度方向的分布情况．最后，采用紫外写入法在PECVD方法生长的Si基SiO2波导芯层中制备出了单模波导和Y分束器样品，并观测到了通光现象，实测结果与模拟结果一致．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:05导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:05Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4281.pdf: 524437 bytes, checksum: d72e328b4ba0a7f95abfa3c415cd584b (MD5) Previous issue date: 2006; 国家自然科学基金资助项目; 中国科学院半导体研究所光电研发中心
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16649]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	安俊明. 紫外写入技术制备光波导器件研究[J]. 半导体学报,2006,27(4):744-746.
APA	安俊明.(2006).紫外写入技术制备光波导器件研究.半导体学报,27(4),744-746.
MLA	安俊明."紫外写入技术制备光波导器件研究".半导体学报 27.4(2006):744-746.