化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究 | |
魏学成 | |
刊名 | 人工晶体学报 |
2006 | |
卷号 | 35期号:2页码:404-408 |
中文摘要 | 利用化学气相传输法生长了ZnO单晶。在无籽晶自发成核的条件下,使用碳辅助增强质量传输方法,得到了晶粒尺寸达4mm×10mm的ZnO晶体。利用长有GaN层的蓝宝石晶片作为衬底,得到了直径为30mm、厚2mm左右的ZnO单晶体。比较了不同温度条件下晶体生长的结果并进行热力学过程和现象了分析。用光荧光谱和X射线双晶衍射研究了ZnO晶体的性质。 |
英文摘要 | 利用化学气相传输法生长了ZnO单晶。在无籽晶自发成核的条件下,使用碳辅助增强质量传输方法,得到了晶粒尺寸达4mm×10mm的ZnO晶体。利用长有GaN层的蓝宝石晶片作为衬底,得到了直径为30mm、厚2mm左右的ZnO单晶体。比较了不同温度条件下晶体生长的结果并进行热力学过程和现象了分析。用光荧光谱和X射线双晶衍射研究了ZnO晶体的性质。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:03:00导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:03:00Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4268.pdf: 516800 bytes, checksum: 845028c166dde74787a335d35f2aeb41 (MD5) Previous issue date: 2006; 中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 半导体材料 |
收录类别 | CSCD |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-29 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16623] |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 魏学成. 化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究[J]. 人工晶体学报,2006,35(2):404-408. |
APA | 魏学成.(2006).化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究.人工晶体学报,35(2),404-408. |
MLA | 魏学成."化学气相传输法生长ZnO单晶及性质研究".人工晶体学报 35.2(2006):404-408. |
个性服务 |
查看访问统计 |
相关权益政策 |
暂无数据 |
收藏/分享 |
除非特别说明,本系统中所有内容都受版权保护,并保留所有权利。
修改评论