InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析

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	InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析
	李东临 ; 曾一平
刊名	物理学报
	2006
卷号	55 期号:7 页码:3677-3682
中文摘要	利用数值计算的方法研究了InP基高电子迁移率晶体管（HEMT）中沟道厚度对沟道中二维电子气（2DEG）性质的影响,并对产生这种影响的原因进行了深入探讨.计算结果表明,当沟道层厚度从10nm增加到40nm时,沟道中2DEG的密度几乎没有变化,但激发态和基态上的电子密度之比（R）先增加后减小.当沟道层厚度在20-25nm之间时,R达到最大.此结果可作为优化器件结构设计的依据.
英文摘要	利用数值计算的方法研究了InP基高电子迁移率晶体管（HEMT）中沟道厚度对沟道中二维电子气（2DEG）性质的影响,并对产生这种影响的原因进行了深入探讨.计算结果表明,当沟道层厚度从10nm增加到40nm时,沟道中2DEG的密度几乎没有变化,但激发态和基态上的电子密度之比（R）先增加后减小.当沟道层厚度在20-25nm之间时,R达到最大.此结果可作为优化器件结构设计的依据.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:46导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4224.pdf: 466347 bytes, checksum: 26ed69d00e18057d429701a8fc0f9c1c (MD5) Previous issue date: 2006; 中国科学院半导体研究所材料中心
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16553]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	李东临,曾一平. InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析[J]. 物理学报,2006,55(7):3677-3682.
APA	李东临,&曾一平.(2006).InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析.物理学报,55(7),3677-3682.
MLA	李东临,et al."InP基HEMT器件中二维电子气浓度及分布与沟道层厚度关系的理论分析".物理学报 55.7(2006):3677-3682.