渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料

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	渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料
	潘教青; 王圩
刊名	物理学报
	2006
卷号	55 期号:6 页码:2982-2985
中文摘要	采用超低压（22mbar）选择区域生长（Selective Area Growth，SAG）金属有机化学汽相沉积（Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）技术成功制备了高质量InGaAsP／InGaAsP多量子阱（Multiple Quantum Well，MQW）材料．在较小的掩蔽宽度变化范围内（15—30μm），得到了46nm的光荧光（Photoluminescence，PL）波长偏移量，PL半高宽（Full-Width-at-Half-Maximum，FWHM）小于30meV．为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性，我们采用了新型的渐变掩蔽图形，并且运用这种新型渐变掩蔽图形，研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响．我们还观察到，渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象．
英文摘要	采用超低压（22mbar）选择区域生长（Selective Area Growth，SAG）金属有机化学汽相沉积（Metal-organic Chemical Vapor Deposition，MOCVD）技术成功制备了高质量InGaAsP／InGaAsP多量子阱（Multiple Quantum Well，MQW）材料．在较小的掩蔽宽度变化范围内（15—30μm），得到了46nm的光荧光（Photoluminescence，PL）波长偏移量，PL半高宽（Full-Width-at-Half-Maximum，FWHM）小于30meV．为了保证选择区域内的MQWs材料的均匀性，我们采用了新型的渐变掩蔽图形，并且运用这种新型渐变掩蔽图形，研究了渐变区域的过渡效应对材料生长的影响．我们还观察到，渐变区域的能量偏调量随着掩蔽图形宽度与渐变区域长度比值的增大而出现饱和现象．; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:46导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:46Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4223.pdf: 267212 bytes, checksum: 2a8799dbc22f51352752f3c5ff0187af (MD5) Previous issue date: 2006; 国家“973”计划,国家“863”计划,国家自然科学基金项目; 中国科学院半导体研究所国家光电子工艺中心
学科主题	半导体材料
收录类别	CSCD
资助信息	国家“973”计划,国家“863”计划,国家自然科学基金项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-29
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16551]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	潘教青,王圩. 渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料[J]. 物理学报,2006,55(6):2982-2985.
APA	潘教青,&王圩.(2006).渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料.物理学报,55(6),2982-2985.
MLA	潘教青,et al."渐变掩蔽图形超低压选择区域生长法制备高质量InGaAsP多量子阱材料".物理学报 55.6(2006):2982-2985.