X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层

	X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层
	姜晓明; 贾全杰; 胡天斗; 黄宇营; 郑文莉; 何伟; 冼鼎昌; 施斌; 蒋最敏; 王迅
刊名	高能物理与核物理
	2001
期号	6 页码:588-594
关键词	X射线驻波异质结构偏析原子占位
其他题名	Study of Semiconductor Super Thin Heterostructures with Synchrotron Radiation X-Ray Standing Wave Technique
通讯作者	姜晓明
中文摘要	利用双晶单色器和精密二圆衍射仪 ,在北京同步辐射装置建立了同步辐射X射线驻波实验技术 ,并用这一实验技术结合X射线衍射方法 ,研究了Si晶体中外延生长的超薄Ge原子层的微结构 .实验结果表明 ,由于Ge原子的偏析 ,在Si晶体样品中形成了共格生长的GexSi1-x合金层 ,浓度平均值为x≈ 0 1 3 ;650℃退火会使Ge原子向表面扩散 ,Si晶体中的合金层消失 ,在晶体表面形成接近纯Ge的单原子层 .
公开日期	2016-02-26
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/215421]
专题	高能物理研究所_院士中国科学院高能物理研究所_人力资源处
推荐引用方式 GB/T 7714	姜晓明,贾全杰,胡天斗,等. X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层[J]. 高能物理与核物理,2001(6):588-594.
APA	姜晓明.,贾全杰.,胡天斗.,黄宇营.,郑文莉.,...&王迅.(2001).X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层.高能物理与核物理(6),588-594.
MLA	姜晓明,et al."X射线驻波方法研究半导体超薄异质外延层".高能物理与核物理 .6(2001):588-594.