| 题名 | 硕士论文-散裂中子源谱仪屏蔽材料的制备工艺研究 |
| 作者 | 王凌倩 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2012 |
| 授予单位 | 中国科学院研究生院 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 陶举洲 |
| 关键词 | 中子屏蔽材料 粘结碳化硼 含硼聚乙烯 制备工艺 |
| 学位专业 | 材料工程 |
| 中文摘要 | 中国散裂中子源(CSNS)是由1.6 GeV的高能质子轰击重金属靶而产生的高通量中子， 并利用中子研究物质微观结构和运动的大科学装置，主要由质子加速器、中子靶站和中子谱仪3大部分组成。质子轰击金属靶产生的中子能量较高，必须经慢化才可引入小角散射谱仪，所以基于对中子束线与周围环境的隔绝以及控制中子束以降低小角散射谱仪本底的角度考虑，谱仪屏蔽材料的制备很关键。因此，结合CSNS的情况，确定了应用于小角散射仪准直器内层腔外的粘结碳化硼和应用于小角散射仪准直器外层腔腔体的含硼聚乙烯两种含硼类屏蔽材料，本文对这两类屏蔽材料的制备工艺进行了研究，并对样品进行了性能表征与评价。本论文采用凝胶注模成型工艺制备粘结碳化硼材料，研究了凝胶注模工艺中适合散裂中子源工程应用的粘结剂，确定了粘结剂中环氧树脂和固化剂的种类与用量；摸索并确定了成熟的粘结碳化硼块体的制备工艺，通过对粘结碳化硼块体的热稳定性、显微结构以及抗重击力学性能的测试，进一步确定了小角散射谱仪中粘结碳化硼的制备工艺。实验表明，当B4C粉体粒度为500μm，粘结剂为环氧树脂与3274#固化剂的混合物且含量为5%时，制得的粘结碳化硼块体最适合工程应用。; 研究了含硼聚乙烯中不同含硼化合物对中子透过率的影响，确定了适合含硼聚乙烯工程应用的制备工艺及脱模剂。通过对含硼聚乙烯中子透过率实验的研究，确定了制备工艺中影响中子透过率的因素，对含硼聚乙烯中B、H元素含量实验值与理论值的对比，确定了粘结碳化硼制备工艺的稳定性。实验表明，当含硼原料为硼酐（B2O3），脱模剂为硬脂酸锌时，制得的含硼聚乙烯板材最适合工程应用。 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 材料工程 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/210060]  |
| 专题 | 实验物理中心_学位论文和出站报告 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 王凌倩. 硕士论文-散裂中子源谱仪屏蔽材料的制备工艺研究[D]. 北京. 中国科学院研究生院. 2012. |
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