| 题名 | 硕士论文-涂硼GEM中子探测器中的硼转化层的工艺研究 |
| 作者 | 叶笛 |
| 学位类别 | 硕士 |
| 答辩日期 | 2014 |
| 授予单位 | 中国科学院大学 |
| 授予地点 | 北京 |
| 导师 | 陈元柏 |
| 关键词 | 气体电子倍增器 中子探测器 磁控溅射 镀膜工艺 |
| 学位专业 | 材料工程 |
| 中文摘要 | GEM（气体电子倍增器）是近年来蓬勃发展起来且技术日趋成熟的新型气体探测器，性能十分突出，有很好的位置分辨，高计数率，耐辐射，信号读出方式简单、灵活，能制作大面积探测器，应用范围广。 |
| 语种 | 中文 |
| 学科主题 | 材料工程 |
| 公开日期 | 2016-02-25 |
| 内容类型 | 学位论文 |
| 源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/209385]  |
| 专题 | 实验物理中心_学位论文和出站报告 |
| 作者单位 | 中国科学院高能物理研究所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 叶笛. 硕士论文-涂硼GEM中子探测器中的硼转化层的工艺研究[D]. 北京. 中国科学院大学. 2014. |
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