偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响

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	偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响
	曹学蕾; 王焕玉; 张承模; 陈勇; 杨家伟; 梁晓华; 汪锦州; 高旻; 张家宇; 马国峰
刊名	核电子学与探测技术
	2006
期号	6 页码:796-800
关键词	Si-PIN探测器偏置电压能量分辨率
其他题名	Effect of the reverse voltage to the S-i PIN detector
通讯作者	曹学蕾
中文摘要	偏置电压对Si-PIN型半导体探测器将产生两方面的影响。偏置电压越高,结电容越小;另一方面,偏置电压越大,探测器的漏电流就越大。而探测器的结电容,漏电流是影响谱仪系统能量分辨率的最重要的因素。结合一些实验结果,从两个方面来讨论偏置电压对于由Si-PIN探测器构成的X射线谱仪能量分辨率的影响,以及探测器偏置电压的合理选取原则。
公开日期	2016-02-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/218333]
专题	高能物理研究所_粒子天体物理中心
推荐引用方式 GB/T 7714	曹学蕾,王焕玉,张承模,等. 偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响[J]. 核电子学与探测技术,2006(6):796-800.
APA	曹学蕾.,王焕玉.,张承模.,陈勇.,杨家伟.,...&马国峰.(2006).偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响.核电子学与探测技术(6),796-800.
MLA	曹学蕾,et al."偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响".核电子学与探测技术 .6(2006):796-800.