偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响 | |
曹学蕾![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() ![]() | |
刊名 | 核电子学与探测技术
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2006 | |
期号 | 6页码:796-800 |
关键词 | Si-PIN探测器 偏置电压 能量分辨率 |
其他题名 | Effect of the reverse voltage to the S-i PIN detector |
通讯作者 | 曹学蕾 |
中文摘要 | 偏置电压对Si-PIN型半导体探测器将产生两方面的影响。偏置电压越高,结电容越小;另一方面,偏置电压越大,探测器的漏电流就越大。而探测器的结电容,漏电流是影响谱仪系统能量分辨率的最重要的因素。结合一些实验结果,从两个方面来讨论偏置电压对于由Si-PIN探测器构成的X射线谱仪能量分辨率的影响,以及探测器偏置电压的合理选取原则。 |
公开日期 | 2016-02-25 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/218333] ![]() |
专题 | 高能物理研究所_粒子天体物理中心 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 曹学蕾,王焕玉,张承模,等. 偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响[J]. 核电子学与探测技术,2006(6):796-800. |
APA | 曹学蕾.,王焕玉.,张承模.,陈勇.,杨家伟.,...&马国峰.(2006).偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响.核电子学与探测技术(6),796-800. |
MLA | 曹学蕾,et al."偏置电压对Si-PIN探测器的性能影响".核电子学与探测技术 .6(2006):796-800. |
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