nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析 | |
唐海侠 ; 王启明 | |
刊名 | 半导体学报
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2006 | |
卷号 | 27期号:12页码:2139-2143 |
中文摘要 | 阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge/Si纳米岛发光效率的机理.通过3D FDTD方法计算出在平板厚度为300nm时,谐振波长随a和r/a变化的规律,即当给定r/a,h时,波长随晶格常数成次线性增加;当给定a,h时,波长随r/a的增加而减小.并从理论上给予分析. |
英文摘要 | 阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge/Si纳米岛发光效率的机理.通过3D FDTD方法计算出在平板厚度为300nm时,谐振波长随a和r/a变化的规律,即当给定r/a,h时,波长随晶格常数成次线性增加;当给定a,h时,波长随r/a的增加而减小.并从理论上给予分析.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:20导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4134.pdf: 548186 bytes, checksum: 7f6ce34842a41c7d1c7774771ec049c3 (MD5) Previous issue date: 2006; 国家自然科学基金; 中国科学院半导体研究所 |
学科主题 | 光电子学 |
收录类别 | CSCD |
资助信息 | 国家自然科学基金 |
语种 | 中文 |
公开日期 | 2010-11-23 ; 2011-04-28 |
内容类型 | 期刊论文 |
源URL | [http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16427] ![]() |
专题 | 半导体研究所_中国科学院半导体研究所(2009年前) |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 唐海侠,王启明. nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析[J]. 半导体学报,2006,27(12):2139-2143. |
APA | 唐海侠,&王启明.(2006).nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析.半导体学报,27(12),2139-2143. |
MLA | 唐海侠,et al."nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析".半导体学报 27.12(2006):2139-2143. |
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