nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析

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	nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析
	唐海侠 ; 王启明
刊名	半导体学报
	2006
卷号	27 期号:12 页码:2139-2143
中文摘要	阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge/Si纳米岛发光效率的机理.通过3D FDTD方法计算出在平板厚度为300nm时,谐振波长随a和r/a变化的规律,即当给定r/a,h时,波长随晶格常数成次线性增加;当给定a,h时,波长随r/a的增加而减小.并从理论上给予分析.
英文摘要	阐述了利用光子晶体单点缺陷微腔来提高Ge/Si纳米岛发光效率的机理.通过3D FDTD方法计算出在平板厚度为300nm时,谐振波长随a和r/a变化的规律,即当给定r/a,h时,波长随晶格常数成次线性增加;当给定a,h时,波长随r/a的增加而减小.并从理论上给予分析.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:02:20导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:02:20Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4134.pdf: 548186 bytes, checksum: 7f6ce34842a41c7d1c7774771ec049c3 (MD5) Previous issue date: 2006; 国家自然科学基金; 中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16427]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	唐海侠,王启明. nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析[J]. 半导体学报,2006,27(12):2139-2143.
APA	唐海侠,&王启明.(2006).nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析.半导体学报,27(12),2139-2143.
MLA	唐海侠,et al."nc-Ge/Si岛基光子晶体单点缺陷腔的数值模拟与分析".半导体学报 27.12(2006):2139-2143.