含缺陷一维光子晶体电场分布研究

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	含缺陷一维光子晶体电场分布研究
	王婧; 巴诺; 吴向尧; 刘晓静; 张斯淇; 李宏; 吴坤朋; 郭义庆
刊名	光电子技术
	2013
期号	2 页码:82-87+92
关键词	光子晶体缺陷电场分布
其他题名	Research on Properties of Light Field Distribution in One-dimensional Photonic Crystals Including Defect
中文摘要	文章给出了任意入射角时光在一维光子晶体中的透射率及电场分布的解析式,研究了不同的入射角、入射光角频率、缺陷层折射率及光子晶体周期数对含缺陷的一维光子晶体场强分布的影响,同时研究了缺陷层的吸收系数对光子晶体透射率及场强分布的影响,所得到的一些结论为光子晶体的制备及应用提供新的有价值的理论依据。
公开日期	2016-02-25
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.ihep.ac.cn/handle/311005/218256]
专题	高能物理研究所_粒子天体物理中心
推荐引用方式 GB/T 7714	王婧,巴诺,吴向尧,等. 含缺陷一维光子晶体电场分布研究[J]. 光电子技术,2013(2):82-87+92.
APA	王婧.,巴诺.,吴向尧.,刘晓静.,张斯淇.,...&郭义庆.(2013).含缺陷一维光子晶体电场分布研究.光电子技术(2),82-87+92.
MLA	王婧,et al."含缺陷一维光子晶体电场分布研究".光电子技术 .2(2013):82-87+92.