SOI基光耦合器研究进展

CORC > 半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所 > 中国科学院半导体研究所（2009年前）

	SOI基光耦合器研究进展
	刘艳 ; 余金中
刊名	激光与红外
	2007
卷号	37 期号:1 页码:18-21
中文摘要	文章综述了国内外光耦合器的最新研究进展，着重介绍了目前耦合效率最高（55％），且与偏振无关的双光栅辅助定向耦合器的工艺流程、结构性能以及进一步提高耦合效率的可行性。
英文摘要	文章综述了国内外光耦合器的最新研究进展，着重介绍了目前耦合效率最高（55％），且与偏振无关的双光栅辅助定向耦合器的工艺流程、结构性能以及进一步提高耦合效率的可行性。; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:01:56导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:56Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4087.pdf: 201384 bytes, checksum: 9351f835dae5eba9ddcaa647cad63b06 (MD5) Previous issue date: 2007; 国家自然科学基金,973项目,863项目资助; 中国科学院半导体研究所
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金,973项目,863项目资助
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16347]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	刘艳,余金中. SOI基光耦合器研究进展[J]. 激光与红外,2007,37(1):18-21.
APA	刘艳,&余金中.(2007).SOI基光耦合器研究进展.激光与红外,37(1),18-21.
MLA	刘艳,et al."SOI基光耦合器研究进展".激光与红外 37.1(2007):18-21.