GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长

	GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长
	牛智川; 徐应强
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:7 页码:1088-1091
中文摘要	采用分子束外延方法在GaAs(100)衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0～2.6 μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.
学科主题	半导体物理
收录类别	CSCD
资助信息	国家自然科学基金资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16307]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	牛智川,徐应强. GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长[J]. 半导体学报,2007,28(7):1088-1091.
APA	牛智川,&徐应强.(2007).GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长.半导体学报,28(7),1088-1091.
MLA	牛智川,et al."GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长".半导体学报 28.7(2007):1088-1091.