硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制

	硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制
	于丽娟
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:7 页码:1117-1120
中文摘要	采用键合技术在Si基上制备了InP-InGaAsP量子阱激光器,实现了电注入室温连续工作.采用低温直接键合的方法,将Si衬底和InP-InGaAsP外延片键合在一起,并制成条宽6μm的脊波导边发射激光器.室温连续工作的1.55μm激光器阈值电流为48mA,对应的阈值电流密度和微分电阻分别为2.13kA/cm~2和5.8Ω,在约220mA时输出光功率达15mW.
学科主题	光电子学
收录类别	CSCD
资助信息	国家高技术研究发展计划,国家自然科学基金资助项目
语种	中文
公开日期	2010-11-23
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16305]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	于丽娟. 硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制[J]. 半导体学报,2007,28(7):1117-1120.
APA	于丽娟.(2007).硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制.半导体学报,28(7),1117-1120.
MLA	于丽娟."硅基键合InP-InGaAsP量子阱连续激光器的研制".半导体学报 28.7(2007):1117-1120.