抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器

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	抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器
	于芳
刊名	半导体学报
	2007
卷号	28 期号:7 页码:1139-1143
中文摘要	介绍在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的抗辐射128kb静态随机存储器.在设计过程中,利用SOI器件所具有的特性,对电路进行精心的设计和层次化版图绘制,通过对关键路径和版图后全芯片的仿真,使得芯片一次流片成功.基于部分耗尽SOI材料本身所具有的抗辐射特性,通过采用存储单元完全体接触技术和H型栅晶体管技术,不仅降低了芯片的功耗,而且提高了芯片的总体抗辐射水平.经过测试,芯片的动态工作电流典型值为20mA@10MHz,抗总剂量率水平达到500krad(Si),瞬态剂量率水平超过2.45×10~(11) rad(Si)/s.这些设计实践必将进一步推动PD SOI CMOS工艺的研发,并为更大规模抗辐射电路的加固设计提供更多经验.
英文摘要	介绍在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的抗辐射128kb静态随机存储器.在设计过程中,利用SOI器件所具有的特性,对电路进行精心的设计和层次化版图绘制,通过对关键路径和版图后全芯片的仿真,使得芯片一次流片成功.基于部分耗尽SOI材料本身所具有的抗辐射特性,通过采用存储单元完全体接触技术和H型栅晶体管技术,不仅降低了芯片的功耗,而且提高了芯片的总体抗辐射水平.经过测试,芯片的动态工作电流典型值为20mA@10MHz,抗总剂量率水平达到500krad(Si),瞬态剂量率水平超过2.45×10~(11) rad(Si)/s.这些设计实践必将进一步推动PD SOI CMOS工艺的研发,并为更大规模抗辐射电路的加固设计提供更多经验.; 于2010-11-23批量导入; zhangdi于2010-11-23 13:01:47导入数据到SEMI-IR的IR; Made available in DSpace on 2010-11-23T05:01:47Z (GMT). No. of bitstreams: 1 4062.pdf: 809151 bytes, checksum: b8c0f4874b33300dc5639e65319d458a (MD5) Previous issue date: 2007; 中国科学院半导体研究所;中国电子科技集团第58研究所
学科主题	微电子学
收录类别	CSCD
语种	中文
公开日期	2010-11-23 ; 2011-04-28
内容类型	期刊论文
源URL	[http://ir.semi.ac.cn/handle/172111/16301]
专题	半导体研究所_中国科学院半导体研究所（2009年前）
推荐引用方式 GB/T 7714	于芳. 抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器[J]. 半导体学报,2007,28(7):1139-1143.
APA	于芳.(2007).抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器.半导体学报,28(7),1139-1143.
MLA	于芳."抗辐射128kb PDSOI静态随机存储器".半导体学报 28.7(2007):1139-1143.